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年产20万单元厚膜混合集成电路项目可行性研究报告
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- 【编号】
- 【名称】 年产20万单元厚膜混合集成电路项目可行性研究报告
- 【用途】
- 【关键词】 集成电路
- 【页码】 页
- 【字数】 字
- 【图表数量】 个
- 【价格】 元
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内容简介:
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本项目总投资1000 万元,项目租赁工业厂房,租赁建筑面积约700m2,用于厚膜混合集成电路的生产加工,项目建成后,计划年产厚膜混合集成电路约20 万单元,其中,年产D15 型号11 万单元、B15 型号5 万单元、0803022
型号4 万单元。 报告目录:
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本项目总投资1000 万元,项目租赁工业厂房,租赁建筑面积约700m2,用于厚膜混合集成电路的生产加工,项目建成后,计划年产厚膜混合集成电路约20 万单元,其中,年产D15 型号11 万单元、B15 型号5 万单元、0803022
型号4 万单元。本项目位于工业园区内4 号厂房1~2 楼,项目所在车间厂房整体5 层,总建筑面积为1848.58m2,其中3~5 楼为闲置工业厂房,厂房整体呈长方形。本项目租赁厂房为1~2 楼,建筑面积700m2,其中2 楼主要用于办公,1 楼用于厚膜混合集成电路的生产加工,建筑面积约350m2。
表1 本项目工程组成和内容
工程名称工程组成工程内容
主体工程生产车间 共1 层,建筑面积350m2,生产车间内设贴片机、固化设备、测试设备、空压机、冷水机、真空泵等设备。
公用工程
给水 厂区供水由市政管网接入,项目生活用水、冷却用水由厂区供水管接入,年用水量240.5t/a。
排水 项目生活污水排入厂区的市政污水管网,生活污水排放量为216t/a。
项目冷却用水0.5m3/a,冷却水为清净水,循环使用,不外排。
供电系统由市政电网供电,年用电量约1 万KW·h。表2 项目产品方案及规模
序号主要产品类别型号规模(万单元/年) 备注
1 厚膜混合集成电路 D15 11
2 B15 5
3 100803022 4
4 合计20表3 主要生产设备
序号设备名称型号单位数量备注
1 贴片机CM92P 台1 将锡膏漏印在陶瓷电路 板上
2 固化设备VM192-248B59 6A48 台1 使锡膏受热熔融后将贴装元器件和陶瓷电路板 焊盘焊接紧固
3 测试设备/ 台8 测试检验
4 空压机PSK18 台1 /
5 冷水机CK-2010A 台1 用于固化设备的冷却
6 真空泵01J2001-42 台1 /
7 过滤棉净化装置/ 台1 净化效率不低于80%
8 低噪声轴流式风机SF-5-4,功率台1 /表4 主要原辅材料
序号名称年消耗量备注
1 半成品陶瓷电路1 万大片约20 万单元/年
2 电子元件1 万片/
3 锡膏PF305-150 10kg 无铅锡膏
4 783 慢干水20kg学名:异氟尔酮,用于贴片机的清洗表5 原辅材料理化性质一览表
原辅材料名称理化性质毒性
锡膏 项目所用锡膏为锡银铜系(Sn96.5-Ag3.0-Cu0.5)无铅无卤焊锡膏,灰色膏体,由焊锡粉、助焊剂以及其它的表面活性剂、触变剂等加以混合,形成的膏状混合物。锡膏的熔点为217℃,沸点为260℃,锡的熔点为231.9℃,沸点为2260℃。783 慢干水(异氟尔酮) 无色透明液体,有类似樟脑气味,能与多数溶剂互溶。熔点:-8.1℃;沸点:215.2℃;密度:相对密度(水=1)0.9229;闪点:96℃,燃点462℃,爆炸下限0.84%,微饱和蒸气压0.133(38℃),微溶于水,易溶于有机溶剂。大鼠经口LD50:2330mg/kg;小鼠经口LD50:2000mg/kg;兔经皮LD50:1500mg/kg;
本项目主要从事厚膜混合集成电路的生产加工,不属于国家发展和改革委员会《产业结构调整指导目录(2011 年本)》(2013 年修正)中限制类和淘汰类项目,属于允许类项目,因此,符合国家产业政策。
本项目为厚膜混合集成电路的生产加工,属于电子器件制造行业,因此,本项目的建设符合工业园区的规划与产业政策,与工业园区的发展定位一致。
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